MOSFET kênh N IRFZ46N 55V 53A

Name: MOSFET kênh N IRFZ46N 55V 53A
SKU: 00344-T1-B0410
Availability: InStock

Khả dụng:

Còn hàng

Thêm vào yêu thích

So sánh

5.000 ₫

Còn hàng

Thêm vào yêu thích

So sánh

MOSFET kênh N IRFZ46N 55V 53A là một linh kiện bán dẫn mạnh mẽ, chịu điện áp tối đa 55V và dòng tải 53A, phù hợp cho các ứng dụng công suất cao. Với điện trở dẫn Rds(on) chỉ 17 mΩ, sản phẩm giúp giảm hao tổn nhiệt và nâng cao hiệu suất trong các mạch chuyển đổi DC-DC, nguồn điện, và các thiết bị công nghiệp.

Cấu tạo

MOSFET kênh N IRFZ46N 55V 53A được thiết kế với cấu trúc N-channel, có cổng Gate, Drain và Source bố trí trên gói TO-220. Chân Gate chịu điện áp tối đa ±20V, ngưỡng kích Gate từ 2V – 4V, giúp linh hoạt khi điều khiển bằng các vi điều khiển phổ biến. Với điện dung Gate (Qg) khoảng 140 nC, linh kiện có khả năng chuyển mạch nhanh, giảm thiểu nhiễu và nhiệt độ. Ngoài ra, điện trở dẫn kênh Rds(on) chỉ 17 mΩ, đảm bảo dòng điện chạy qua MOSFET một cách hiệu quả. Bạn có thể tham khảo thêm ở phần thông số kỹ thuật.

Nguyên lí hoạt động

MOSFET kênh N IRFZ46N 55V 53A hoạt động dựa trên nguyên lý điều khiển điện áp cổng (Gate) để điều chỉnh dòng điện giữa Drain và Source. Khi điện áp Gate – Source (Vgs) vượt qua ngưỡng kích (2–4V), kênh dẫn N sẽ được hình thành, cho phép dòng điện chảy từ Drain sang Source. Ngược lại, nếu Vgs dưới ngưỡng, kênh dẫn bị chặn, MOSFET ở trạng thái tắt. Nhờ khả năng chuyển mạch nhanh và tổn hao thấp, linh kiện này thường được ứng dụng trong các mạch điều khiển công suất.

Hướng dẫn sử dụng

Xác định đúng chân Gate, Drain, Source trên MOSFET và trên mạch điều khiển.
Kết nối chân Drain với tải hoặc mạch nguồn, chân Source thường nối mass hoặc cực âm.
Cấp điện áp Gate thích hợp (từ 3V đến 20V tùy thiết kế) để kích kênh dẫn.

Ứng dụng

MOSFET kênh N IRFZ46N 55V 53A được ứng dụng rộng rãi trong các bộ chuyển đổi DC-DC, nguồn điện, driver động cơ và các thiết bị công nghiệp yêu cầu công suất cao. Linh kiện này cũng được sử dụng trong mạch điều khiển LED, robot, bộ khuếch đại công suất, và các hệ thống điện tử cần điều khiển dòng tải lớn. Với khả năng chịu điện áp và dòng cao, IRFZ46N giúp nâng cao hiệu suất và giảm hao tổn năng lượng trong mạch.

Ưu điểm và nhược điểm

MOSFET IRFZ46N có ưu điểm là dòng tải cao, điện áp chịu đựng tối đa 55V và điện trở dẫn thấp, giảm hao tổn nhiệt. Cấu trúc N-channel giúp điều khiển dễ dàng và tốc độ chuyển mạch nhanh. Nó phù hợp cho nhiều ứng dụng công suất cao và hiệu suất. Tuy nhiên, điện dung Gate tương đối lớn (140 nC) đòi hỏi driver mạnh để chuyển mạch nhanh. Ngoài ra, người dùng cần đảm bảo nhiệt độ hoạt động phù hợp và sử dụng tản nhiệt khi cần.

MOSFET kênh N IRFZ46N 55V 53A là giải pháp hiệu quả cho các mạch công suất cao, đảm bảo hoạt động ổn định và hiệu suất cao. Với thiết kế Rds(on) thấp và khả năng chịu dòng lớn, linh kiện này đáp ứng tốt yêu cầu trong nhiều lĩnh vực công nghiệp và điện tử. Chipstack hoàn toàn là đối tác tin cậy trong việc mua bán linh kiện. Xin liên hệ với chúng tôi.

Mã: 00344-T1-B0410 Danh mục: MOSFET

Thông Số	Giá Trị
Điện áp chịu đựng tối đa	55 V
Dòng điện cực đại	53 A
Điện trở chuyển mạch (Rds(on))	17 mΩ
Điện áp Gate Threshold	2V – 4V
Điện áp Gate Source (Vgs) tối đa	±20 V
Điện dung Gate (Qg)	140 nC
Ứng dụng	Chuyển mạch công suất cao, các ứng dụng DC-DC converter, động cơ, nguồn điện, v.v.
Chế độ hoạt động	Chế độ N-channel MOSFET (kênh N)
Điện áp hoạt động	Hoạt động tốt ở điện áp thấp và cao (3V – 20V cho Gate)