Tối Sáng

MOSFET kênh N 2N7000

Khả dụng:

Còn hàng


1.000 

Còn hàng

So sánh

MOSFET kênh N 2N7000 là một linh kiện bán dẫn nhỏ gọn, có khả năng đóng cắt nhanh và tiêu thụ năng lượng thấp. Với điện áp chịu đựng tối đa 60V, dòng điện cực đại 200mA và điện trở Rds(on) 5Ω, nó phù hợp cho các ứng dụng điều khiển tín hiệu và công suất thấp. Được thiết kế với chế độ N-channel, 2N7000 hoạt động ổn định với điện áp cổng từ 10V, giúp đơn giản hóa việc tích hợp vào mạch điện tử.

Cấu tạo

MOSFET 2N7000 có thiết kế dạng TO-92 với ba chân: Gate (G), Drain (D) và Source (S). Điện áp chịu đựng tối đa của nó là 60V, với dòng điện cực đại 200mA, phù hợp với các ứng dụng công suất thấp. Điện trở chuyển mạch (Rds(on)) đạt 5Ω, giúp giảm tổn hao năng lượng. Điện áp kích hoạt cổng (Gate Threshold) dao động từ 2.0V đến 4.0V, với mức tối đa là ±20V. Điện dung cổng (Qg) chỉ 5nC, giúp tốc độ chuyển mạch nhanh và tiêu thụ công suất thấp. Tham khảo thêm phần thông số kỹ thuật để biết rõ hơn.

Nguyên lý hoạt động

MOSFET kênh N 2N7000 hoạt động dựa trên nguyên lý điều khiển dòng điện giữa Drain và Source bằng cách điều chỉnh điện áp trên Gate. Khi điện áp Gate đạt ngưỡng kích hoạt (khoảng 2V – 4V), MOSFET bắt đầu dẫn điện, cho phép dòng điện chạy từ Drain xuống Source. Khi điện áp Gate lớn hơn 10V, MOSFET đạt trạng thái bão hòa với điện trở Rds(on) thấp, giúp tối ưu hiệu suất truyền dẫn. Ngược lại, khi điện áp Gate về 0V, linh kiện sẽ ngắt dòng hoàn toàn, hoạt động như một công tắc điện tử.

Hướng dẫn sử dụng

  • Kết nối chân Drain với tải cần điều khiển.
  • Nối chân Source xuống mass (GND) của mạch điện.
  • Cấp điện áp điều khiển vào chân Gate, thường từ 2V đến 10V tùy vào mức độ đóng cắt mong muốn.
  • Đảm bảo điện áp Gate không vượt quá ±20V để tránh hỏng linh kiện.
  • Sử dụng điện trở pull-down (~10kΩ) ở Gate để đảm bảo MOSFET tắt hoàn toàn khi không có tín hiệu điều khiển.
  • Tránh quá tải dòng điện để đảm bảo tuổi thọ và hiệu suất của MOSFET.

Ứng dụng

MOSFET kênh N 2N7000 được ứng dụng rộng rãi trong các mạch điều khiển công suất thấp, mạch đóng ngắt tín hiệu, mạch điều khiển logic và các hệ thống tự động. Nhờ khả năng hoạt động ở điện áp thấp và dòng điện nhỏ, nó thường xuất hiện trong các thiết bị điện tử tiêu dùng, mạch vi điều khiển và hệ thống nhúng. Ngoài ra, 2N7000 còn được sử dụng trong các ứng dụng bảo vệ mạch và khuếch đại tín hiệu trong các hệ thống công nghiệp và tự động hóa.

Ưu điểm và nhược điểm

MOSFET 2N7000 có ưu điểm là tiêu thụ điện năng thấp, tốc độ chuyển mạch nhanh và dễ dàng tích hợp vào các mạch logic số. Với điện áp hoạt động thấp, nó phù hợp cho các ứng dụng vi điều khiển và tín hiệu nhỏ. Ngoài ra, kích thước nhỏ gọn giúp tiết kiệm không gian mạch. Tuy nhiên, nhược điểm của nó là công suất và dòng điện hoạt động thấp, không phù hợp với các ứng dụng tải lớn hoặc yêu cầu dòng cao.

MOSFET kênh N 2N7000 là một linh kiện quan trọng trong các ứng dụng điều khiển tín hiệu và công suất thấp. Với thiết kế nhỏ gọn, điện áp hoạt động linh hoạt, nó giúp tối ưu hiệu suất trong các hệ thống điện tử hiện đại. Quý khách hàng quan tâm vui lòng liên hệ với chúng tôi để được tư vấn và đặt hàng.

Mã: 00337-T1-B0410 Danh mục:
Thông Số Giá Trị
Điện áp chịu đựng tối đa 60 V
Dòng điện cực đại 200 mA
Điện trở chuyển mạch (Rds(on)) 5 Ω
Điện áp Gate Threshold 2.0V to 4.0V
Điện áp Gate Source (Vgs) tối đa ±20 V
Điện dung Gate (Qg) 5 nC
Ứng dụng Chuyển mạch tín hiệu, điều khiển công suất thấp, mạch điều khiển logic, các ứng dụng công suất thấp và điều khiển đầu ra trên các mạch điện tử nhỏ.
Chế độ hoạt động Chế độ N-channel MOSFET (kênh N)
Điện áp hoạt động Hoạt động tốt với điện áp Gate (Vgs) từ 10V

Dựa trên đánh giá của 0

0.0 tổng thể
0
0
0
0
0

Chỉ những khách hàng đã đăng nhập và mua sản phẩm này mới có thể để lại đánh giá.

Chưa có đánh giá nào.