MOSFET kênh N IRF520N 100V 9.2A

Cấu tạo

MOSFET kênh N IRF520N được thiết kế trong gói TO-220 với ba chân cơ bản gồm Drain (D), Source (S) và Gate (G). Thiết bị này có khả năng chịu điện áp tối đa 100V, dòng điện cực đại 9.2A và điện trở Rds(on) khoảng 0.27Ω, giúp giảm hao phí công suất trong quá trình hoạt động. Ngưỡng điện áp Gate (Gate Threshold) nằm trong khoảng 2.0V đến 4.0V, và điện áp Gate-Source tối đa là ±20V, hỗ trợ việc điều khiển linh hoạt trong nhiều điều kiện khác nhau. Bên cạnh đó, điện dung cổng (Gate Charge) chỉ 80nC, giúp tăng tốc độ chuyển mạch và tối ưu hóa hiệu suất. Thiết bị này có thể hoạt động ổn định với điện áp Gate từ 10V đến 20V, phù hợp cho các mạch công suất thấp đến trung bình. Bạn có thể tham khảo thêm ở phần thông số kỹ thuật.

Nguyên lí hoạt động

IRF520N hoạt động dựa trên nguyên tắc điều khiển dòng điện giữa chân Drain và chân Source thông qua điện áp đặt tại chân Gate. Khi điện áp Gate cao hơn ngưỡng dẫn (từ 2.0V đến 4.0V) và đủ lớn (thường từ 10V đến 20V), kênh dẫn N sẽ được hình thành, cho phép dòng điện chạy qua từ Drain sang Source. Khi điện áp Gate giảm xuống dưới ngưỡng này, kênh dẫn sẽ bị ngắt, MOSFET ngừng dẫn điện. Nhờ điện trở Rds(on) thấp và điện dung cổng vừa phải, IRF520N có thể chuyển mạch nhanh, thích hợp cho các ứng dụng công suất từ thấp đến trung bình.

Hướng dẫn sử dụng

• Xác định đúng các chân Gate, Drain, Source để đấu nối vào mạch.
• Cấp điện áp điều khiển Gate từ 10V đến 20V, không vượt quá giới hạn ±20V để tránh hỏng linh kiện.
• Đấu nối chân Drain với tải và chân Source với mass (GND), bảo đảm tải và điện áp nguồn phù hợp với thông số của MOSFET.
• Sử dụng tản nhiệt hoặc các biện pháp làm mát nếu linh kiện hoạt động ở công suất cao.
• Kiểm tra điện áp và dòng điện thực tế trong mạch để tránh tình trạng quá tải, bảo đảm tuổi thọ cho MOSFET.

Ứng dụng

MOSFET kênh N IRF520N 100V 9.2A được sử dụng rộng rãi trong các mạch chuyển mạch công suất trung bình, bộ nguồn xung (DC-DC), và các hệ thống điều khiển động cơ. Với điện áp chịu đựng khá cao và khả năng đóng cắt nhanh, linh kiện này phù hợp cho nhiều giải pháp điện tử công nghiệp và tự động hóa, giúp tiết kiệm năng lượng và nâng cao hiệu suất hoạt động. IRF520N còn được tích hợp trong các mạch khuếch đại và mạch bảo vệ nhờ đặc tính hoạt động ổn định.

Ưu điểm và nhược điểm

MOSFET kênh N IRF520N có ưu điểm chịu được điện áp 100V và dòng điện 9.2A, phù hợp cho nhiều ứng dụng công suất trung bình. Điện trở Rds(on) thấp 0.27Ω giúp giảm tổn hao và nâng cao hiệu suất mạch. Điện dung cổng thấp (80nC) góp phần tăng tốc độ chuyển mạch. Tuy nhiên, linh kiện cần điện áp điều khiển Gate đủ lớn (từ 10V trở lên) để hoạt động hiệu quả, và khi làm việc ở công suất cao cần chú ý tản nhiệt. Bên cạnh đó, nếu quá áp Gate-Source có thể gây hỏng MOSFET.