MOSFET kênh P IRF4905 55V 74A

Cấu tạo

MOSFET kênh P IRF4905 55V 74A có cấu trúc P-channel, gói TO-220, gồm ba chân Gate, Drain, Source. Chân Gate chịu điện áp tối đa ±20V, ngưỡng kích Gate từ -2V đến -4V, điện trở dẫn kênh (Rds(on)) thấp, giúp giảm hao tổn nhiệt. Điện tích Gate (Qg) khoảng 290 nC cho phép chuyển mạch nhanh. Sản phẩm có thể làm việc ở điện áp -55V, dòng -74A, phù hợp cho nhiều mạch công suất. Bạn có thể tham khảo thêm ở phần thông số kỹ thuật.

Nguyên lí hoạt động

MOSFET kênh P IRF4905 hoạt động bằng cách điều khiển điện áp Gate so với Source. Khi điện áp Gate thấp hơn Source (với trị số âm) đủ lớn, kênh dẫn P được kích hoạt, cho phép dòng điện chạy từ Source xuống Drain. Ngược lại, nếu điện áp Gate gần bằng hoặc cao hơn điện áp Source, kênh dẫn sẽ đóng lại, ngắt dòng điện. Cấu trúc kênh P thường được dùng trong các mạch chuyển mạch ở phía dương (high side) để kiểm soát điện áp tải.

Hướng dẫn sử dụng

• Xác định chân Gate, Drain, Source và đảm bảo phân cực đúng theo sơ đồ mạch.
• Cấp điện áp âm cho Gate (so với Source) để kích hoạt kênh dẫn, lưu ý mức ngưỡng -2V đến -4V.
• Sử dụng tản nhiệt hoặc giải pháp làm mát nếu MOSFET hoạt động ở công suất cao.

Ứng dụng

• Mạch chuyển đổi DC-DC công suất cao trong hệ thống điện.
• Driver động cơ trong các dự án robot và tự động hóa.
• Thiết bị điều khiển nguồn cho hệ thống công nghiệp, mạch nguồn máy tính.

Ưu điểm và nhược điểm

MOSFET kênh P IRF4905 có khả năng chịu dòng lớn và điện áp cao, phù hợp cho các ứng dụng công suất. Điện trở dẫn kênh thấp giúp giảm tổn hao nhiệt. Tốc độ chuyển mạch nhanh nhờ điện tích Gate vừa phải. Tuy nhiên, MOSFET kênh P thường phức tạp hơn khi điều khiển ở phía nguồn dương, đòi hỏi điện áp Gate âm. Ngoài ra, cần lưu ý giới hạn nhiệt độ và sử dụng tản nhiệt khi tải nặng.